EEE 518Principles of Electronic Devices

Bilkent Elektrik-Elektronik Mühendisliği dersi.

  • kredi3· 5 ECTS
  • haftalık3 saat3 ders
  • 2026-2027 Güzaçılmadıson: 2015-2016 Bahar

Ön koşullar ve açtığı derslerkatalogda ön koşul yok

Almak için

Ön koşulu yok, doğrudan alınabilir.

EEE 518Principles of Electronic Devices
ön koşul
yok
doğrudan açtığı
0 ders

Geçince açılır

Başka bir dersin ön koşulu değil.

Ön koşullar STARS kataloğundaki ifadeden okunur; eş koşul, izin ve not şartları dahil değil. Kartın altındaki not o dersin başka neye ihtiyaç duyduğunu söyler.

Not ortalaması2009'den beri 3,61

3,862015-2016 Bahar6 öğrenci · 1 şube · az öğrenci
3,03,54,009-10 G10-11 G12-13 G13-14 G14-15 G15-16 B
  • Güz / Bahar ortalaması
  • dikey gölge: şube aralığı · nokta büyüklüğü: öğrenci sayısı
Dönem tablosu 6 dönem
DönemŞubeÖğrenciDers ort.Şube aralığı
2015-2016 Bahar16*3,863,86
2014-2015 Güz1123,753,75
2013-2014 Güz17*3,853,85
2012-2013 Güz1103,293,29
2010-2011 Güz15*3,123,12
2009-2010 Güz12*4,004,00

Dönem ortalaması STARS'ın "Course GPA" değeri (o dönemin tüm şubeleri). Çok yıllık ortalama dönem ortalamalarının öğrenci sayısıyla ağırlıklı ortalaması; "son 5 yıl" içinde bulunulan akademik yıldan önceki 5 tam yıl. 10 öğrenciden az olan dönemler (*) dahil ama soluk. Final tekrar dönemleri dahil değil.

Hocalara göretüm dönemler · 2 hoca

  • Ali Kemal Okyay4 dönem · 35 öğrenci · son 2015-2016 Bahar3,66
  • Özgür Aktaş2 dönem · 7 öğrenci · son 2010-2011 Güz · az veri3,37

Hocanın tek başına verdiği şubelerin öğrenci sayısıyla ağırlıklı STARS şube ortalaması. Soluk satırlar 20 öğrenciden az notlu veriye dayanır.

Ders içeriği

Crystal structure and growth techniques. Foundations of modern electronic. Energy bands in solids. Tunneling. Carrier concentrations and transport properties in semiconductors. Equilibrium states of PN junctions. Transient analysis of PN junction diodes. SS, MS, SIS junction characteristics and principles of special purpose diodes. BJT equilibrium states and Ebers-Moll static model. Secondary effects and transient states in BJT's. Small signal model. JFET characteristics and equilibrium states Principles of metal-insulator-semiconductor transistors and dc characteristics.

Sık sorulanlar

EEE 518 dersinin ön koşulu nedir?

STARS kataloğunda EEE 518 için ön koşul belirtilmemiş.

EEE 518 kaç kredi, kaç ECTS?

EEE 518 3 Bilkent kredisi ve 5 ECTS. Haftalık 3 saat yüz yüze ders.

Veri STARS'ın herkese açık sayfalarından (offerings, katalog, ders geçmişi, syllabus) otomatik alınır. Şube, hoca ve kontenjan değişebilir; kesin bilgi için SRS'yi kontrol et.