EEE 418Principles of Electronic Devices
Bilkent Elektrik-Elektronik Mühendisliği dersi.
- kredi4· 6,5 ECTS
- haftalık7 saat3 ders + 4 lab
- 2026-2027 Güzaçılmadıson: 2015-2016 Bahar
Ön koşullar ve açtığı derslerkatalog: EEE 202 ve EEE 211 ve PHYS 102
Almak için
veve- ön koşul
- 3 şart
- doğrudan açtığı
- 0 ders
- en erken
- 3. yıl güz
Geçince açılır
Başka bir dersin ön koşulu değil.
Ön koşullar STARS kataloğundaki ifadeden okunur; eş koşul, izin ve not şartları dahil değil. Kartın altındaki not o dersin başka neye ihtiyaç duyduğunu söyler.
Not ortalaması2002'den beri 2,75
- Güz / Bahar ortalaması
- dikey gölge: şube aralığı · nokta büyüklüğü: öğrenci sayısı
Dönem tablosu 8 dönem
| Dönem | Şube | Öğrenci | Ders ort. | Şube aralığı |
|---|---|---|---|---|
| 2015-2016 Bahar | 1 | 44 | 3,11 | 3,11 |
| 2014-2015 Güz | 1 | 26 | 3,04 | 3,04 |
| 2013-2014 Güz | 1 | 17 | 2,22 | 2,22 |
| 2012-2013 Güz | 1 | 15 | 3,28 | 3,28 |
| 2010-2011 Güz | 1 | 53 | 2,02 | 2,02 |
| 2009-2010 Güz | 1 | 48 | 2,98 | 2,98 |
| 2006-2007 Bahar | 1 | 26 | 2,64 | 2,64 |
| 2002-2003 Bahar | 1 | 20 | 3,17 | 3,17 |
Dönem ortalaması STARS'ın "Course GPA" değeri (o dönemin tüm şubeleri). Çok yıllık ortalama dönem ortalamalarının öğrenci sayısıyla ağırlıklı ortalaması; "son 5 yıl" içinde bulunulan akademik yıldan önceki 5 tam yıl. 10 öğrenciden az olan dönemler (*) dahil ama soluk. Final tekrar dönemleri dahil değil.
Hocalara göretüm dönemler · 3 hoca
- Ali Kemal Okyay4 dönem · 102 öğrenci · son 2015-2016 Bahar2,97
- Özgür Aktaş3 dönem · 127 öğrenci · son 2010-2011 Güz2,51
- Mehdi Fardmanesh1 dönem · 20 öğrenci · son 2002-2003 Bahar3,17
Hocanın tek başına verdiği şubelerin öğrenci sayısıyla ağırlıklı STARS şube ortalaması. Soluk satırlar 20 öğrenciden az notlu veriye dayanır.
Ders içeriği
Crystal structure and Growth techniques. Foundations of modern electronics. Energy bands in solids. Tunneling. Carrier concentrations and transport properties in semiconductors. Equilibrium states of PN junctions. Transient analysis of PN junction diodes. SS, MS, SIS junction characteristics and principles of special purpose diodes. BJT equilibrium states and Ebers-Moll static model. Secondary effects and transient states in BJTs. Small signal model. JFET characteristics and equilibrium states. Principles of metal-insulator-semiconductor transistors and dc characteristics.
Müfredatlarda4 program
- Elektrik-Elektronik MühendisliğiElectrical - Electronics Engineering · lisansEEE Expanded Elective, EEE Elective
- Endüstri MühendisliğiIndustrial Engineering · lisansBreadth Elective
- FizikPhysics · lisansTechnical Elective
- Moleküler Biyoloji ve GenetikMolecular Biology and Genetics · lisansTechnical Elective
Sık sorulanlar
EEE 418 dersinin ön koşulu nedir?
EEE 418 için STARS kataloğundaki ön koşul: EEE 202 ve EEE 211 ve PHYS 102.
EEE 418 kaç kredi, kaç ECTS?
EEE 418 4 Bilkent kredisi ve 6,5 ECTS. Haftalık 3 saat yüz yüze ders · 4 saat yüz yüze lab.
Veri STARS'ın herkese açık sayfalarından (offerings, katalog, ders geçmişi, syllabus) otomatik alınır. Şube, hoca ve kontenjan değişebilir; kesin bilgi için SRS'yi kontrol et.